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第19讲:北京大学彭海琳教授——高迁移率二维半导体BOX的可控生长与光电器件(2017.5.4)

高迁移率二维半导体材料是最有希望在微电子和光电子领域带来变革的材料之一。但当前发现的主要二维材料都很难同时满足适当带隙、高迁移率、高稳定性、可批量制备等关键要求。最近,我们发现了一类全新的高迁移率二维层状半导体材料BOX (Bi2O2X, X = S, Se, Te, …),其中Bi2O2Se带隙约0.8 eV,电子有效质量约0.14 m0;利用化学气相沉积法生长了高质量单层、双层及少层的Bi2O2Se二维晶体,并控制成核位点实现了二维材料晶体阵列的批量生长,还发展了二维薄膜的制备和化学刻蚀技术。此外,我们利用微纳加工技术,构筑了基于这类全新的高迁移率二维半导体材料的高性能场效应晶体管和柔性光电功能器件,并发现了典型二维特征的Shubnikov-de Haas (SdH)量子振荡行为及令人振奋的量子霍尔效应。该工作将给二维材料与器件应用带来新的机遇。

报告人简介

彭海琳,吉林大学化学系学士,北京大学化学与分子工程学院博士,斯坦福大学材料科学与工程系博士后。2009年6月到北京大学工作至今,现为北京大学化学与分子工程学院教授和课题组长、博士生导师、国家杰出青年科学基金获得者、中组部万人计划拔尖人才、国家青年973项目首席科学家。主要从事物理化学与新能源纳米技术研究,当前研究兴趣包括石墨烯、拓扑绝缘体和二维硫族半导体等高迁移率二维材料的制备方法、化学调制与光电器件应用基础研究。已发表SCI收录论文110余篇,影响因子超过7的论文90余篇,包括Nature子刊(12篇)、J. Am. Chem. Soc.(10篇)、Nano Lett.(22篇)、Adv. Mater.(10篇)、Phys. Rev. Lett.(1篇)、ACS Nano(9篇)、Acc. Chem. Res.(1篇)、Coord. Chem. Rev.(1篇),Nano Today (1篇),论文被他引逾7000次,单篇最高他引2500余次;申请和授权专利20项。近5年来,在国际及双边重要学术会议上做邀请报告40余次,筹划和组织国际和双边会议6次。担任中国化学会纳米化学专业委员会委员、北京市石墨烯科技创新专项技术咨询专家委员会专家、中国石墨烯标准化委员会委员、中关村石墨烯产业联盟专家委员会秘书长、《中国科学:化学》青年编委和《科学通报》编委、北京市第十一届青联委员。

地址:湖北省武汉市武昌区珞珈山,武汉大学化学与分子科学学院,化北 118 & 化东 101/201

Tel:+86-27-68755687   Fax:+86-27-68755687   Email:leifu@whu.edu.cn

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